NM КАРТА

Нано карта с памет – съкратено като NM карта – със същата форма и размер като Nano SIM, може да се използва с тавата за две SIM карти в съвместимо устройство на Huawei. Huawei обяви Nano карта, алтернатива на Micro SD картата през 2019. Тя е само наполовина по-голяма от обикновената Micro SD карта, но NM картата все още е бърза - Според техническата спецификация на NM карта 1.0, макс. скоростта на четене и запис е около 90MB/s.

Изпрати запитване

Този продукт също приема основния контролен чип на eMMC 5.1 LDPC ECC двигател. С 3D NAND Flash се приема архитектурата на фърмуера на креативен автономен алгоритъм. В допълнение към разширяването на капацитета на NM Card в мобилни приложения, потребителите могат също да използват NM Card. Неизползваните приложения и студените данни на големи файлове се мигрират, за да се освободи мобилният телефон. Наличният капацитет на оригиналното хранилище подобрява живота и представянето на телефона.

Наличен капацитет и скорост:

Капацитет	Скорост на четене (MB/S)	Скорост на запис (MB/S)	Тип светкавица	размер на пакета
64GB	93MB/S	83MB/S	TLC 512Gbx1	12,3x8,8x0.7mm
128GB	93MB/S	83MB/S	TLC 512Gbx2	12,3x8,8x0.7mm
256GB	93MB/S	83MB/S	TLC 512Gbx4	12,3x8,8x0.7mm

Параметър на физическия контур на NM картата

Тип	Измерване
Дължина	8,8 mm плюс /-0.1 mm (B)
ширина	12,3 mm плюс /-0.1 mm (A)
Дебелина	0.8mm плюс /-0.05mm (C1)
Повърхност	Обикновен (с изключение на контактната зона)
Ръбове	Гладки ръбове

NM карта Физическа среда Параметър

Волтаж	Vcc=3.3V
температура	Работен: -20 градуса до 70 градуса Неработещ: -40 градуса до 85 градуса
Влажност	25 процента до 95 процента
ESD защита	Контактни подложки: плюс /-4KV, Човешко тяло Въздушен разряд: плюс /-8KV (въздушен разряд); Равнина на свързване Discharte: -8KV
Огъване	10N
Въртящ момент	0.15 N.m
Тест за падане	1,5 м свободно падане

Чертеж на NM картата:

Описание на интерфейса

Символ		Тип	Описание
1	CLK	Вход	Часовник: Всеки цикъл на часовника насочва прехвърляне на командния ред и на линията(ите) за данни. Честотата може да варира между минималната и максималната тактова честота.
2 4 5 8	DAT0 DAT2 DAT3 DAT8	I/O	Вход/изход на данни: Това са двупосочни сигнали за данни. DAT сигналите работят в режим push-pull. По подразбиране. MMC контролерът може да конфигурира по-широка шина за данни за пренос на данни или чрез DAT[3:0] (4-битов режим)
3	VCC	Снабдяване	VCC: NAND интерфейс (I/F) I/O и NAND флаш захранване.
6	GND	Снабдяване	ядрото на контролера и e·MMC I/F заземяване. NAND I/FI/O и NAND флаш заземяване
7	CMD	I/O	Команда: Този сигнал е двупосочен команден канал, използван за предаване на команди и отговори. Сигналът CMD има два режима на шина: режим на отворен дренаж и режим на издърпване (вижте Режими на работа). Командите се изпращат от MMC хоста към устройството, а отговорите се изпращат от устройството към хоста.

Устройствата поддържат NM карта с памет

Символ		Тип	Описание
1	CLK	Вход	Часовник: Всеки цикъл на часовника насочва прехвърляне на командния ред и на линията(ите) за данни. Честотата може да варира между минималната и максималната тактова честота.
2 4 5 8	DAT0 DAT2 DAT3 DAT8	I/O	Вход/изход на данни: Това са двупосочни сигнали за данни. DAT сигналите работят в режим push-pull. По подразбиране. MMC контролерът може да конфигурира по-широка шина за данни за пренос на данни или чрез DAT[3:0] (4-битов режим)
3	VCC	Снабдяване	VCC: NAND интерфейс (I/F) I/O и NAND флаш захранване.
6	GND	Снабдяване	ядрото на контролера и e·MMC I/F заземяване. NAND I/FI/O и NAND флаш заземяване
7	CMD	I/O	Команда: Този сигнал е двупосочен команден канал, използван за предаване на команди и отговори. Сигналът CMD има два режима на шина: режим на отворен дренаж и режим на издърпване (вижте Режими на работа). Командите се изпращат от MMC хоста към устройството, а отговорите се изпращат от устройството към хоста.